Transistors MOSFET de puissance à ultra-jonction de classe X4, canal N 150 V

Les transistors MOSFET de puissance IXYS N-Channel X4 de classe peuvent être utilisés en parallèle pour répondre aux exigences de courant plus élevées

IXYS, qui fait maintenant partie de Littelfuse, présente un dispositif à semi-conducteur de puissance mis au point selon un principe de compensation de charge et une technologie de procédé exclusive, permettant ainsi de créer un MOSFET de puissance qui réduit considérablement la résistance à l'état passant [R_{DS (ON)}] et la charge de la porte (Q_g). Une faible résistance à l'état passant réduit les pertes de conduction; il réduit également l'énergie stockée dans la capacité de sortie, minimisant ainsi les pertes de commutation. Un faible Q_g Il en résulte une efficacité plus élevée avec des charges légères et des exigences d’entraînement de portail plus faibles. En outre, ces MOSFET sont classés avalanche et présentent une performance dv / dt supérieure. Le coefficient de température positif de leur résistance à l'état passant, ils peuvent être exploités en parallèle pour répondre à des exigences de courant plus élevées.