MOSFET di potenza ultra-junction di classe X4 a canale N da 150 V.

I MOSFET di potenza Classe X X-Channel IXYS possono essere utilizzati in parallelo per soddisfare requisiti di corrente più elevati

IXYS, ora parte di Littelfuse, introduce un dispositivo a semiconduttore di potenza sviluppato utilizzando un principio di compensazione della carica e una tecnologia di processo proprietaria, ottenendo un MOSFET di potenza che riduce significativamente la resistenza di accensione [R_{DS (ON)}] e gate gate (Q_g). Una bassa resistenza allo stato riduce le perdite di conduzione; riduce anche l'energia immagazzinata nella capacità di uscita, minimizzando le perdite di commutazione. Un Q basso_g comporta una maggiore efficienza con carichi leggeri e requisiti di azionamento del gate inferiori. Inoltre, questi MOSFET sono classificati a valanga e presentano prestazioni dv / dt superiori. Il coefficiente di temperatura positivo della loro resistenza allo stato, possono funzionare in parallelo per soddisfare requisiti di corrente più elevati.